成熟制程 vs 先进制程：压力测量的全面升级

当制程节点突破28nm，特别是进入FinFET、GAA等先进架构领域，半导体制造已进入全新的战场：

复杂度跃迁：工艺步骤激增，每个腔室中的压力波动直接影响原子层沉积与刻蚀精度

污染控制红线：颗粒物容忍度从Class 1000（ISO 6）骤降至Class 1（ISO 3），SEMI标准正以指数级收紧

环境极限挑战：高温等离子体、强腐蚀性气体（Cl₂、HF）、超临界CO₂清洗介质成为常态

某3nm晶圆厂工艺主管坦言：“压力传感器的失效直接导致整批晶圆返工，单次损失超200万美元。”

洁净度陷阱

传感器材料析出纳米级颗粒

死体积滞留残留气体

密封界面成为污染源 良率杀手：单颗0.1μm颗粒可摧毁整颗GAA晶体管

腐蚀性介质吞噬

传统316L不锈钢在ClF₃蚀刻气体中72小时失重超15%

传感器膜片被HF蒸气穿透导致永久失效

精度漂移困局

300℃高温下传统传感器每月漂移超0.5%FS

工艺波动要求十年稳定性优于0.1%/年

微弱信号捕获困境

FinFET刻蚀压力波动范围<50Pa

机电噪声淹没有效信号

量产一致性魔咒

百级洁净间装配的传感器颗粒物控制差异达20倍

材料批次波动导致灵敏度离散超3%

这些痛点正在吞噬万亿级的产业投入——当EUV光刻机将图案精度推向物理极限，压力测量的微小误差会在原子层堆叠中放大为灾难性缺陷。但正是这些生死考验，催生着颠覆性的传感技术革命。